木棉花的春天

SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术：打造下一代HBM_我的网站

A |     8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。

B |     本篇评级为★★★，主要围绕以下内容展开：                    1、"给点阳光就灿烂"，4月情绪回升还未到顶          2、有色金属大年和新能源的顺风                    如有疑问请以音频内容为准，添加妙投小虎哥微信miaotou515，入群有机会与董小姐进一步交流。

C |                    新闻解读评级说明：五星重磅，四星重要，三星级以下大家选择听。                   1、"给点阳光就灿烂"，4月情绪回升还未到顶          4月份市场含金量持续提升，今天又是普涨行情。当前市场属于“有一点阳光就灿烂”的状态，极易被触动。

D |     当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。    

    每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。

E | 一些赛道在没有明确利好的情况下，依然一点就着。

F | 最典型的是今天的商业航天板块，在经历了长达三个月的回调后，近期跟随市场回暖。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。     在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。                   今天该板块在没有明确利好的情况下再次大幅拉涨。前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。

G | 市场上牵强地为其拼凑了一个利好：过两天将召开中国航天日主场活动，届时会有监管部门人员参与，市场预期可能会释放重要政策拉动行业。    

    面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。    在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。                   对此，个人认为概率较小。2026年中国商业航天几次重要发射遭遇了小挫折，经历这些事件后，政策表述近期有所严肃和慎重，节奏不会太快。     此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。同时，与三星类似，SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案，将HBM直接置于计算模块之上，以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。    

H | 类似商业航天的案例还有其他零星表现。从中我们可以看到，市场情绪上头后，有理由可以涨，没有理由创造理由也会涨。这正是市场兴奋度恢复的证据。                   本文为妙投付费内容，上述仅为摘要，购买本专栏即可解锁完整内容。新用户可免费领本专栏7天阅读体验机会，在妙投APP-我的-权益兑换 输入“妙投888”即可领取。

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Published on:17:22:09